化合物半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 倉本 大 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340892A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 化合物半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧が低く、長寿命かつ歩留まりが向上する窒化物半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 成長圧力100Torr,成長温度1050℃、MOCVD法でn型Al0.1Ga0.9N基板39表面にSiドープn型Al0.1Ga0.9Nのn型クラッド層40を形成。成長圧力760Torr、同じ温度でSiドープn型GaNのn型光閉じ込め層41を形成。成長温度780℃、In0.2Ga0.8N井戸層及びIn0.05Ga0.95Nバリア層のアンドープMQW層42を成長。成長温度1050℃,成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.2Ga0.8Nのキャップ層43を形成。成長圧力760Torr、Mgドープp型GaNのp型光閉じ込め層44を形成、成長圧力100Torr、Mgドープp型Al0.1Ga0.9Nのp型クラッド層45を成長。成長圧力を1400Torr、Mgドープp型GaNのp型コンタクト層46を成長させる。p型クラッド層45,p型コンタクト層46のメサ型47を形成、SiO2絶縁膜48をつけ、メサ部分を出し、LD構造を形成する。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75858]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉本 大. 化合物半導体装置及びその製造方法. JP2000340892A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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