半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 栗原 春樹; 山本 基幸 |
| 发表日期 | 1995-01-31 |
| 专利号 | JP1995030186A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、電流阻止層と光吸収層とをストライプ外に設定してなる内部ストライプ構造の半導体レーザ素子において、電源の極性に対する制約の回避とモード·ホッピング雑音の抑制とを両立できるようにすることを最も主要な特徴とする。 【構成】たとえば、n-InGaAlPクラッド層18の上面を除く、n-InGaAlPクラッド層17の上に、屈折率がn-InGaAlPクラッド層16,17,18よりも大きく、バンドギャップがInGaP活性層15よりも大きくて、しかも光の波長よりも厚さの薄いp-InGaAlP電流阻止層19を形成することで、光誘起電流の発生を阻止し得る内部ストライプ構造と、モード·ホッピング雑音の小さい複素屈折率型光導波路とを備えた構成となっている。 |
| 公开日期 | 1995-01-31 |
| 申请日期 | 1993-07-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75869]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 栗原 春樹,山本 基幸. 半導体レーザ装置. JP1995030186A. 1995-01-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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