半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 吉田 伊知朗 |
| 发表日期 | 1994-12-22 |
| 专利号 | JP1994350189A |
| 著作权人 | 住友電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 電流ブロック層が上側クラッド層の上に形成されているGaAsを基板とする半導体レーザにおいて、横方向の光閉じ込めを強める。 【構成】 GaAsを基板1とし、活性層4のバンドギャップがGaAsよりも小さい電流ブロック型半導体レーザにおいて、GaAs基板1と反対側の主クラッド層5,6上にストライプ状電流通路領域を除いて形成されたAlGaInP(Ga組成が零の場合を含む)の電流ブロック層7と、電流ブロック層7に挟まれたストライプ状電流通路領域の主クラッド層6上に形成されたGaAsの補助クラッド層8とを備えている。 |
| 公开日期 | 1994-12-22 |
| 申请日期 | 1993-06-04 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75876]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 住友電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉田 伊知朗. 半導体レーザ. JP1994350189A. 1994-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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