半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 山下 茂雄; 黒田 崇郎; 岡 聡彦; 小野 佑一 |
| 发表日期 | 1993-04-09 |
| 专利号 | JP1993090695A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【目的】波長1μm帯で発振する埋込み型であって、高信頼性を有し低しきい値の半導体レーザ素子を得ることを目的とする。 【構成】第1半導体クラッド層4と第2半導体クラッド層6とに挾まれた活性層5を有する半導体レーザ素子において、上記クラッド層の少なくとも一部をInxGa1-xAsyP1-yで構成し、上記活性層5をInuGa1-uAs量子井戸層およびInvGa1-vAs量子障壁層で構成した量子井戸構造とする。 |
| 公开日期 | 1993-04-09 |
| 申请日期 | 1991-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75882]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山下 茂雄,黒田 崇郎,岡 聡彦,等. 半導体レーザ素子. JP1993090695A. 1993-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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