半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 福永 敏明; 和田 貢 |
| 发表日期 | 1999-10-15 |
| 专利号 | JP1999284275A |
| 著作权人 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 光導波層を含む活性領域がAlを含まない材料から形成された半導体レーザにおいて、高出力発振下における信頼性を高め、また素子特性を向上させる。 【解決手段】 GaAs基板上1に、GaAs基板1に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる下部クラッド層2と、GaAs基板1に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる下部光導波層3と、InGaAsまたはInGaAsPからなる活性層4と、GaAs基板1に格子整合するInGaAsPまたはInGaPからなる上部光導波層5と、GaAs基板1に格子整合するGaAlAsまたはGaAlAsPからなる上部クラッド層6,7とがこの順に積層されてなる半導体レーザにおいて、上部光導波層5と上部クラッド層6との界面近傍において、該上部クラッド層6の少なくとも一部を、引っ張り歪を有するGaAlAsPから形成する。 |
| 公开日期 | 1999-10-15 |
| 申请日期 | 1998-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75893]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJI PHOTO FILM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 福永 敏明,和田 貢. 半導体レーザ. JP1999284275A. 1999-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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