半導体素子及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 金子 久美子 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125149A |
| 著作权人 | CANON INC |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】膜厚制御が容易にでき再現性もよい誘電体薄膜層を施した半導体素子及びその製造方法である。 【構成】半導体レ-ザ5に2層の誘電体薄膜層を施す。その薄膜層を形成する際、1層目の屈折率n1と2層目の屈折率n2の組合せから計算される1層目の膜厚d1を含む式d1=λ1/4n1を満足させる波長λ1の半導体レーザ4をモニター用として用いる。モニター用レーザ4を駆動させた状態で蒸発源2のZnSにEBをあて、半導体レーザ4,5に成膜する。PD6からの信号がロックインアンブ8で最低点を示す時、ZnSの成膜をやめる。次に、半導体レーザ5を駆動させ、蒸発源3のMgF2の成膜を行ない、レーザ5の出力が最低点を示した時、MgF2成膜をやめ、2層AR膜を形成する。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75899]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | CANON INC |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 金子 久美子. 半導体素子及びその製造方法. JP1994125149A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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