半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 延原 裕之 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263795A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】ファブリペロー型の半導体レーザに関し、半田による反射面の汚染を防止し、光結合用基板との接触面積を十分に確保し、閾値電流を小さくする。 【構成】少なくとも一方の端面が劈開された活性層8と、活性層8を光進行方向に分断する溝3と、溝3の内部に形成された反射膜4とを含む。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75913]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 延原 裕之. 半導体レーザ. JP1995263795A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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