半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 山本 英二 |
| 发表日期 | 1994-04-22 |
| 专利号 | JP1994112589A |
| 著作权人 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】本発明は、特定のふたつ以上の波長の光を任意の強度で出力できることを主要な目的とする。 【構成】化合物半導体により導伝型の層列としてp型/n型/p型またはn型/p型/n型の層構造を形成し、この層構造内のふたつのpn接合近傍にそれぞれ近接する層よりバンドギャップエネルギの小さい組成のふたつの活性層を備え、前記ふたつの活性層に伝導帯と価電子帯の間の遷移波長を互いに異なる大きさに形成し、前記ふたつの活性層を独立に発光させる電流注入手段が設けられていることを特徴とする半導体発光素子。 |
| 公开日期 | 1994-04-22 |
| 申请日期 | 1992-09-24 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75914]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | OLYMPUS OPTICAL CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 山本 英二. 半導体発光素子. JP1994112589A. 1994-04-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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