半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 後藤 順; 大家 彰; 百瀬 正之; 右田 雅人; 大歳 創 |
| 发表日期 | 1994-07-22 |
| 专利号 | JP1994204606A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】価電子帯又は伝導帯どちらか一方のバンドオフセットが小さい材料の組合せにおいてもレーザ発振を可能とするる。 【構成】n-クラッド層2、p-活性層3及びn-クラッド層4が積層され、活性層3及びクラッド層2、4は、活性層3のバンドギャップがクラッド層2、4のバンドギャップよりも小さく、伝導帯の活性層3とクラッド層2、4とのバンドオフセットがキャリアの閉じ込めに充分な程大きくない半導体であって、クラクラッド層3へのキャリア(正孔)の閉じ込めはバンドオフセットにより行い、キャリア(電子)の閉じ込めは、両側のクラッド層2、4から同種のキャリアを注入する電極5、6、7を設ける。 【効果】バンドオフセットによる閉じ込めが困難なキャリアを両クラッド層から注入することにより活性層での再結合効率を向上し、レーザ発振を行なう。 |
| 公开日期 | 1994-07-22 |
| 申请日期 | 1993-01-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75918]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 後藤 順,大家 彰,百瀬 正之,等. 半導体レーザ. JP1994204606A. 1994-07-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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