半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 吉川 兼司; 細井 浩行; 山中 通成 |
| 发表日期 | 2008-03-13 |
| 专利号 | JP2008060248A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】簡便なプロセスで、放熱性を向上させ、高光出力時においても信頼性の高い動作を実現することができる半導体レーザ及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 半導体レーザ1は、活性層がn型クラッド層とp型クラッド層とにより挟まれてなる光導波路の当該光導波方向の両端面に光反射面1c,1dが形成されている。前記活性層と前記光反射面1c,1dとの両方に直交する位置にある側面、つまり光導波路に沿う方向の側面1a,1bは、活性層と直行する方向から半導体レーザ1を見たときに、ジグザグ形状をし、当該側面の1a,1b面積が、前記光導波路を通り且つ活性層と直交する断面の面積よりも大きい。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-03-13 |
| 申请日期 | 2006-08-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75970]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 吉川 兼司,細井 浩行,山中 通成. 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. JP2008060248A. 2008-03-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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