半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 粂 雅博; 伴 雄三郎; 原 義博; 石橋 明彦; 上村 信行; 長谷川 義晃 |
| 发表日期 | 1998-01-27 |
| 专利号 | JP1998027947A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 動作電圧が低く単一モードで発振する半導体レーザを実現する。 【解決手段】 SiC基板102上にn型AlNバッファ層103、n型AlGaNクラッド層104、InGaN活性層105、p型AlGaNクラッド層106があり、ストライプ状の開口部の両側にはInGaN界面層105、n型AlGaN電流阻止層108があり、ストライプ状開口部の中及び電流阻止層の上にはp型AlGaNクラッド層109、p型GaNコンタクト層110がある。ストライプ状開口部内において、p型AlGaNクラッド層106は同じくp型AlGaNクラッド層109と接しており、この領域を通して活性層に電流が注入される。電流阻止層108とp型クラッド層106の間にはInGaN界面層107がある。界面層はAlを含んでいないため、エッチング後表面を大気に曝しても酸化は少なくすることが出来、2回目のMOCVD成長時にInGaN層をリアクター内で蒸発させることによって、良好な再結晶成長界面を得、動作電圧を低減することができる。 |
| 公开日期 | 1998-01-27 |
| 申请日期 | 1996-07-12 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75978]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 粂 雅博,伴 雄三郎,原 義博,等. 半導体レーザ. JP1998027947A. 1998-01-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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