半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 堂免 恵; 古谷 章 |
| 发表日期 | 1995-10-13 |
| 专利号 | JP1995263799A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】可視光半導体レーザで消費電力が少なくし、また、光ディスク装置の光源として用いた場合にはノイズレベルを小さくする。 【構成】GaInP系からなる活性層(5) を用いる半導体レーザにおいて、内部損失の大きい場合には、引っ張り歪みを受けた活性層を用い、内部損失の小さい場合には、圧縮歪を受けた活性層を用いる。 |
| 公开日期 | 1995-10-13 |
| 申请日期 | 1994-03-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75980]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 堂免 恵,古谷 章. 半導体レーザ. JP1995263799A. 1995-10-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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