半導体レーザ素子
文献类型：专利
| 作者 | 菱田 有二 |
| 发表日期 | 2000-03-31 |
| 专利号 | JP2000091699A |
| 著作权人 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 この発明は、レーザビーム広がり角と発光効率等を独立に制御することができる半導体レーザ素子を提供することを目的とする。 【解決手段】 この発明は、クラッド層6の外部に光閉じ込めに機能するクラッド層6と同じ導電型の光吸収層10を設け、この光吸収層10に隣接して電流ブロック層5を設けた。 |
| 公开日期 | 2000-03-31 |
| 申请日期 | 1998-09-16 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/75984]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SANYO ELECTRIC CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 菱田 有二. 半導体レーザ素子. JP2000091699A. 2000-03-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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