光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 黒崎 武志; 石井 啓之 |
| 发表日期 | 1999-03-30 |
| 专利号 | JP1999087853A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 活性導波路領域と光導波路領域とを集積した半導体光集積素子を構成要素とする光半導体装置において、発振光における強度雑音レベルの増大を極力抑えながら、反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制すること。 【解決手段】 活性導波路13を含む活性導波路領域11に信号電流発生装置21より信号電流を加えて信号光を発生させるとともに、該信号光に対して透明な光導波路14を含む光導波路領域12に装置22より該光導波路領域12の屈折率を変動させるための変調電流または変調電圧を加えることにより、半導体光集積素子10への反射戻り光によって誘起される発振光の強度雑音の増加を抑制する。 |
| 公开日期 | 1999-03-30 |
| 申请日期 | 1997-09-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76000]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 黒崎 武志,石井 啓之. 光半導体装置. JP1999087853A. 1999-03-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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