半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 大輔; 木村 達也; 瀧口 透 |
| 发表日期 | 1998-12-18 |
| 专利号 | JP1998335756A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】ドライエッチングによりメサ構造部を形成するものであって、しかも低いしきい値電流特性を有し且つ温度特性の良い半導体レーザを製造する方法を提供する。 【解決手段】ドライエッチングにより生じたダメージ層を、ドライエッチング後に塩素を含むガスで追加エッチングして除去する工程を設けた。 |
| 公开日期 | 1998-12-18 |
| 申请日期 | 1997-06-05 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76007]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 大輔,木村 達也,瀧口 透. 半導体レーザの製造方法. JP1998335756A. 1998-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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