Semiconductor laser and manufacture thereof
文献类型：专利
| 作者 | TADA KENTARO |
| 发表日期 | 1992-08-31 |
| 专利号 | JP1992243180A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | Semiconductor laser and manufacture thereof |
| 英文摘要 | PURPOSE:To provide a semiconductor laser having a small astigmatism. CONSTITUTION:An n-type clad layer 2, an active layer 3, a p-type inner clad layer 4, a p-type etching stopper layer 5, and a p-type outer clad layer 6 are sequentially formed on an n-type GaAs substrate Part of the layer 6 is etched to form a mesa, and then a current block layer 7, a low resistance layer 8, a buffer layer 9 and a contact layer 10 are sequentially formed. The layers 7, 8 have larger band gaps than that of the active layer and cannot absorb light emitted from the active layer, and hence its astigmatism can be reduced. |
| 公开日期 | 1992-08-31 |
| 申请日期 | 1991-01-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76010]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | TADA KENTARO. Semiconductor laser and manufacture thereof. JP1992243180A. 1992-08-31. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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