半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 1996-02-27 |
| 专利号 | JP1996056054A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 高品質な結晶性のクラッド層を得ることができ、結晶を高品質に保ったまま格子整合した素子構造を容易に形成することができる。
【構成】 活性層4,12,15,18がクラッド層3,5で挟まれた半導体発光装置において、該クラッド層3,5を結晶構造がウルツァイト型のAlx Ga1-x Py N1-y (但し、0 |
| 公开日期 | 1996-02-27 |
| 申请日期 | 1994-08-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76028]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体発光装置. JP1996056054A. 1996-02-27. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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