面発光型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 田中 良宜 |
| 发表日期 | 2009-08-13 |
| 专利号 | JP2009182210A |
| 著作权人 | ROHM CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 面発光型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】本発明は、高反射率で熱抵抗の低いDBRを有する面発光型半導体レーザを提供する。 【解決手段】基板10と、基板10上に設けられ、AlaGa1-aAs層211,212,·····21hとAlbGa1-bAs層221,222,·····22h(aaGa1-aAs層511,512,·····51kとAlbGa1-bAs層521,522,·····52kを交互に積層して形成されたp型DBR50とを備える。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2009-08-13 |
| 申请日期 | 2008-01-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76032]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ROHM CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 田中 良宜. 面発光型半導体レーザ. JP2009182210A. 2009-08-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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