半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | ▲高▼橋 向星; 菅原 章義 |
| 发表日期 | 1999-11-30 |
| 专利号 | JP1999330623A |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 組成によって格子定数が変化する材料を用いて、格子不整合を引き起こすことなく、多くの種類の多元混晶を含む多層膜を形成できる半導体素子の製造方法を提供する。 【解決手段】 この製造方法では、(Al0.7Ga0.3)0.5Pクラッド層13と(Al0.5Ga0.5)0.5In0.5P光ガイド層14を、第1Al分子線セル,第2Ga分子線セルと第2Al分子線セル,第3Ga分子線セルという独立した別の分子線セルで作製する。したがって、Ga分子の分子線量とAl分子の分子線量とを加算した分子線量を一定の値に保ったまま、Ga分子の分子線量とAl分子の分子線量との比率をクラッド層13の成長期間と光ガイド層14との間で瞬時に切り変えることができる。 |
| 公开日期 | 1999-11-30 |
| 申请日期 | 1998-05-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76047]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | ▲高▼橋 向星,菅原 章義. 半導体素子の製造方法. JP1999330623A. 1999-11-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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