半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 村上 隆志 |
| 发表日期 | 1998-02-03 |
| 专利号 | JP1998032366A |
| 著作权人 | 三菱電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 減圧有機金属気相成長法(MOCVD法)によって各層を成長させる場合にも形成可能で、狭放射ビーム,高出力動作,低閾値および長寿命の半導体レーザ及びその製造方法を得る。 【解決手段】 この半導体レーザは、一様に平坦な主面を有する化合物半導体基板上に、基板面内部における厚さよりレーザの出射端面近傍で薄くされた活性層およびこの活性層を介して第1のクラッド層,第2のクラッド層をそれぞれ積層してなる導波路を、レーザ光の導波方向に沿い基板の幅よりも狭いストライプ部分を有するように配設し、さらにこの導波路に沿って基板上に電流阻止層を配設した。またこの半導体レーザをMOCVD法の選択成長により形成する。 |
| 公开日期 | 1998-02-03 |
| 申请日期 | 1987-04-22 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76048]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三菱電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 村上 隆志. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1998032366A. 1998-02-03. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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