半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 波多腰 玄一; 藤本 英俊; 石川 正行 |
| 发表日期 | 2004-01-30 |
| 专利号 | JP3517120B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 InGaAlBN系半導体レーザにおいて、コンタクト部での発熱の影響を低減し、高温で長時間連続発振動作が可能な高い信頼性を持つ素子を実現する。 【解決手段】 発光部直上に電極コンタクト部を設けないことにより、活性層温度上昇への影響が低減され、温度特性が大幅に改善される。 |
| 公开日期 | 2004-04-05 |
| 申请日期 | 1998-08-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76052]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 波多腰 玄一,藤本 英俊,石川 正行. 半導体レーザ. JP3517120B2. 2004-01-30. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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