光半導体素子
文献类型：专利
| 作者 | 遠 山 政 樹; 船 水 将 久; 平 山 雄 三 |
| 发表日期 | 2005-03-11 |
| 专利号 | JP3655079B2 |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 光半導体素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 高速変調動作と高出力動作が得られ、かつ波長チャープの小さい光源を提供する。 【解決手段】 出射端面近傍において光導波層を除去すると同時に、出射端面に向かって放射される光の広がり角に応じて、狭メサ形状を呈したクラッド層の幅を変化させて形成する。 |
| 公开日期 | 2005-06-02 |
| 申请日期 | 1998-01-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76062]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 遠 山 政 樹,船 水 将 久,平 山 雄 三. 光半導体素子. JP3655079B2. 2005-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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