光半導体装置の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 宏彦; 小滝 裕二 |
| 发表日期 | 1998-05-06 |
| 专利号 | JP1998117038A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置の製造方法に関し、活性層幅を制御性及び再現性良く規定できるのは勿論のこと、絶縁膜をメサ頂面に形成することなく、メサと電流ブロック層とをセルフ·アライメントの関係を維持できるようにし、絶縁膜エッチングの微妙な制御などを不要にしようとする。 【解決手段】 基板21上に高抵抗層22を成長させ、高抵抗層22上の全面に絶縁膜を形成し、該絶縁膜にストライプの開口を形成し、該開口をもつ絶縁膜をマスクとして高抵抗層22をエッチングして基板21の一部を表出させ、該絶縁膜をマスクとしてバッファ層24及び活性層25及びクラッド層26を含む半導体層を該表出された基板21の一部にメサ状に成長させる。 |
| 公开日期 | 1998-05-06 |
| 申请日期 | 1996-10-15 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76076]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 宏彦,小滝 裕二. 光半導体装置の製造方法. JP1998117038A. 1998-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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