分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 奥田 哲朗; 山田 博仁; 鳥飼 俊敬 |
| 发表日期 | 1995-12-18 |
| 专利号 | JP1995118568B2 |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 共振器方向の電界強度分布を均一化し、同時に位相シフトを形成するのと等価な効果を得て、低歪アナログ光変調用の分布帰還半導体レーザを高歩留りで得る。 【構成】 分布帰還型半導体レーザにおいて光導波路19の幅を端面付近で広く、中央付近で狭くする。これにより共振器方向の電界強度分布は均一化され、電流-光出力特性の線形性が改善される。また光導波路の等価屈折率は共振器の中央付近で小さく端面付近で大きくなり、導波路中に位相シフトを設けた場合と等価な効果が得られるために安定な単一モード発振が可能となる。したがって低歪アナログ変調用の分布帰還型半導体レーザが高歩留りで得られる。 |
| 公开日期 | 1995-12-18 |
| 申请日期 | 1992-10-30 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76085]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 奥田 哲朗,山田 博仁,鳥飼 俊敬. 分布帰還型半導体レーザ. JP1995118568B2. 1995-12-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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