光半導体素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 北村 昌太郎 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354894A |
| 著作权人 | NEC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】散乱損失の少ない導波路を有し、かつ、注入電流の漏れの少ない光半導体素子を製造することを可能とする。 【構成】半導体の基板状に、ストライプ状の間隙を有する1対のストライブ状のマスクを形成する工程と、該半導体基板の露出した該間隙部に、活性層を含む半導体のリッジをエピタキシャル成長する工程と、該マスクを剥離する工程とを経た後、該リッジの上面をストライプ状マスクで覆う工程と、該ストライブ状マスクの両脇に半導体の電流ブロック層をエピタキシャル成長する工程とを用いる。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1992-06-08 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76102]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NEC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 北村 昌太郎. 光半導体素子の製造方法. JP1999354894A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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