半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 石川 秀人 |
| 发表日期 | 1997-08-19 |
| 专利号 | JP1997219567A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 p型クラッド層中のZnが活性層中に入り込むのを有効に防止することができ、しかもp型クラッド層の直列抵抗を十分に低くすることができるAlGaInP系の半導体レーザを提供する。 【解決手段】 AlGaInP系の半導体レーザにおいて、p型AlGaInPクラッド層7のうちの活性層5側の第1の部分7aにp型不純物としてMgをドープし、残りの第2の部分7bにp型不純物としてZnをドープする。第1の部分7aにはMgに加えて非常に低濃度のZnをドープしてもよい。 |
| 公开日期 | 1997-08-19 |
| 申请日期 | 1996-02-13 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76112]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 石川 秀人. 半導体レーザ. JP1997219567A. 1997-08-19. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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