半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大村 悦司 |
| 发表日期 | 1993-06-01 |
| 专利号 | JP1993136525A |
| 著作权人 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】 p型基板を有する埋め込み形半導体レーザのサイリスタ構造をなす電流阻止層を流れる無効電流を低減させ、かつ半導体レーザのしきい値電流を低しきい値に保つ。 【構成】 p型基板201上に複数のpn接合からなる電流阻止層を形成し、該電流阻止層の最上層上に、に電流阻止層を形成する半導体の禁制帯幅より小さな禁制帯幅をもつ半導体層を設け、該半導体層の端を活性領域206から所定の距離だけ離す。 【効果】 半導体レーザのしきい値電流を上昇させることなく、活性領域以外を流れる無効電流を低減し、高出力動作が可能となる。耐電圧特性が向上する。 |
| 公开日期 | 1993-06-01 |
| 申请日期 | 1991-11-11 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76119]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MITSUBISHI ELECTRIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大村 悦司. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1993136525A. 1993-06-01. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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