半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 玄永 康一; 田中 明; 奥田 肇; 島田 直弘; 伊藤 義行; 塩澤 秀夫; 渡邊 実 |
| 发表日期 | 2000-12-08 |
| 专利号 | JP2000340885A |
| 著作权人 | TOSHIBA CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】電流阻止層の開口部に形成される埋込み層の、高次の結晶面方位方向の異常成長のない半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】InGaAlP系半導体レーザにおいて、ストライプ状の開口部を有する電流阻止層8と、電流阻止層8上に形成されたp型埋め込み層9とを具備し、電流阻止層8の層厚は0.1〜0.5μmであることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 2000-12-08 |
| 申请日期 | 1999-05-27 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76122]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | TOSHIBA CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 玄永 康一,田中 明,奥田 肇,等. 半導体レーザ. JP2000340885A. 2000-12-08. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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