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半導体レーザ

文献类型:专利

作者玄永 康一; 田中 明; 奥田 肇; 島田 直弘; 伊藤 義行; 塩澤 秀夫; 渡邊 実
发表日期2000-12-08
专利号JP2000340885A
著作权人TOSHIBA CORP
国家日本
文献子类发明申请
其他题名半導体レーザ
英文摘要【課題】電流阻止層の開口部に形成される埋込み層の、高次の結晶面方位方向の異常成長のない半導体レーザを提供することを目的とする。 【解決手段】InGaAlP系半導体レーザにおいて、ストライプ状の開口部を有する電流阻止層8と、電流阻止層8上に形成されたp型埋め込み層9とを具備し、電流阻止層8の層厚は0.1〜0.5μmであることを特徴とする。
公开日期2000-12-08
申请日期1999-05-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76122]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位TOSHIBA CORP
推荐引用方式
GB/T 7714
玄永 康一,田中 明,奥田 肇,等. 半導体レーザ. JP2000340885A. 2000-12-08.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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