窒化物半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 竹間 清文; 太田 啓之; 田中 利之 |
| 发表日期 | 2000-11-24 |
| 专利号 | JP2000323797A |
| 著作权人 | PIONEER ELECTRONIC CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 窒化物半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ構造において高品質な反射鏡面を再現性良く得られる3族窒化物半導体レーザ製造方法を提供する。 【解決手段】 活性層を含む3族窒化物半導体(AlxGa1-x)1-yInyN(0≦x≦1,0≦y≦1)からなる結晶層の複数を、下地層(Alx'Ga1-x')1-y'Iny'N(0≦x'≦1,0≦y'≦1)上に、順に積層してなる窒化物半導体レーザの製造方法であって、基板上に成膜された下地層上に結晶層の複数を形成する結晶層形成工程と、基板及び下地層間の界面に向け、基板側から光ビームを照射して、窒化物半導体の分解物領域を形成する光照射工程と、積層された結晶層を担持した下地層を分解物領域に沿って基板から剥離する工程と、下地層を劈開又は裂開し、積層した結晶層の共振用劈開面を形成する工程と、を含む。 |
| 公开日期 | 2000-11-24 |
| 申请日期 | 1999-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76124]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | PIONEER ELECTRONIC CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 竹間 清文,太田 啓之,田中 利之. 窒化物半導体レーザ及びその製造方法. JP2000323797A. 2000-11-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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