半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 浜田 弘喜 |
| 发表日期 | 1997-04-25 |
| 专利号 | JP2630929B2 |
| 著作权人 | 三洋電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 結晶性を低下させることなくGaAs単結晶上にAs成分を含まない半導体層を成長することが目的である。 【解決手段】 GaAs単結晶1上にAsの構成比率が小さいGaInAsP層7を気相成長させる工程と、GaInAsP層7上にAs成分を含まない半導体層3を気相成長させる工程と、を備えた。 |
| 公开日期 | 1997-07-16 |
| 申请日期 | 1987-08-20 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76130]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 三洋電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 浜田 弘喜. 半導体レーザ. JP2630929B2. 1997-04-25. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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