結合分布帰還型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 井上 武史 |
| 发表日期 | 1995-12-22 |
| 专利号 | JP1995335971A |
| 著作权人 | 横河電機株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 結合分布帰還型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】κが光強度平坦化の最適値からはずれた場合に急峻なピークが3箇所の位相シフト位置に現れるのを位相シフト数を増やすことにより解決する。 【構成】複数の位相シフト部位を有する分布帰還型半導体レーザにおいて、中央の位相シフトが1/4波長であると共に、中央の1/4波長位相シフトを挟んで両側に対称に配置された複数の位相シフトは実効的な位相シフト量が互いに共役関係にあるように構成する。 |
| 公开日期 | 1995-12-22 |
| 申请日期 | 1994-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76143]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 横河電機株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 井上 武史. 結合分布帰還型半導体レーザ. JP1995335971A. 1995-12-22. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。