半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 高桑 智恵; 鈴木 信夫; 遠山 政樹 |
| 发表日期 | 1995-08-04 |
| 专利号 | JP1995202324A |
| 著作权人 | 株式会社東芝 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | (修正有) 【目的】発振スペクトル線幅を細く保ったまま、発振波長を高速、且つ大きく変化させることができる半導体レーザ装置を提供する。 【構成】光を導波する光導波領域が第1および第2の光導波領域からなる半導体レーザ装置であって、第1の光導波領域が、活性領域を形成する活性層の上部に分布帰還共振器を有する活性·分布帰還領域21,22であり、第2の光導波領域24,25が、光導波領域内の光損失を制御する領域で、そのキャリア密度が実質的にゼロであることを特徴とする。 |
| 公开日期 | 1995-08-04 |
| 申请日期 | 1993-12-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76144]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社東芝 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 高桑 智恵,鈴木 信夫,遠山 政樹. 半導体レーザ装置. JP1995202324A. 1995-08-04. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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