半導体レーザ装置
文献类型：专利
| 作者 | 大畑 豊治; 小川 正道; 根本 和彦; 森 芳文 |
| 发表日期 | 2001-07-13 |
| 专利号 | JP3208860B2 |
| 著作权人 | ソニー株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置 |
| 英文摘要 | 【目的】 劈開により形成される半導体レーザ装置と同程度の光出力-電流特性を有し、半導体基体の表面に対して正確に垂直方向に収差、ケラレのない光を取り出すことができて、2次元集積化が可能な面発光型の半導体レーザ装置を提供する。 【構成】 半導体基板1上に、少なくとも第1伝導型のクラッド層2と、活性層3と、第2伝導型のクラッド層4とを有して成り、垂直エッチングで形成された共振器端面11A及び11Bに対向して、半導体基板1の主面に対しほぼ45°の角度を成す結晶成長面を反射鏡面12A及び12Bとして構成する。 |
| 公开日期 | 2001-09-17 |
| 申请日期 | 1992-08-28 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76150]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | ソニー株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大畑 豊治,小川 正道,根本 和彦,等. 半導体レーザ装置. JP3208860B2. 2001-07-13. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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