半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 鈴木 良治 |
| 发表日期 | 1995-03-20 |
| 专利号 | JP1995079048A |
| 著作权人 | HITACHI CABLE LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】高抵抗な半導体多層膜による反射鏡を用いながら、低抵抗の電流通路を確保することにより、安定な室温連続発振を可能とする。 【構成】p型GaAs基板1上に半導体多層膜による基板側反射鏡22を形成する際、有機金属気相成長法による選択的な結晶成長方法、またはホトリソグラフィプロセスのいずれかを用いることにより、基板1上の必要な箇所にのみ半導体多層膜による基板側反射鏡22を部分的に形成する。基板側反射鏡22を基板1上の一部分に形成すると、それ以外の部分は基板1とp型AlGaAsクラッド層23が直結するような構造となる。これによって基板1から活性層4へ至る低抵抗な電流通路が確保されるため、電流通路中に抵抗による発熱源がなくなる。 |
| 公开日期 | 1995-03-20 |
| 申请日期 | 1993-09-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76152]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI CABLE LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 鈴木 良治. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1995079048A. 1995-03-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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