光半導体装置及びその製造方法
文献类型:专利
作者 | 尾内 敏彦; 小野 武夫 |
发表日期 | 1994-06-14 |
专利号 | JP1994169132A |
著作权人 | キヤノン株式会社 |
国家 | 日本 |
文献子类 | 发明申请 |
其他题名 | 光半導体装置及びその製造方法 |
英文摘要 | 【目的】作製上の再現性が良い、回折格子と導波光との結合係数を導波方向において分布させた光半導体装置及びその製造方法である。 【構成】光半導体装置は光を導波する導波構造を有し、利得媒質を有する活性層4と導波光の分布帰還結合を行う回折格子9、10を具備した光ガイド層3からなる。回折格子9、10と導波光との結合係数を、回折格子の次数を変化させることで、導波方向において分布させ、装置の入出力を行う周辺部より中心部において大きくしている。 |
公开日期 | 1994-06-14 |
申请日期 | 1992-11-27 |
状态 | 失效 |
源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76163] ![]() |
专题 | 半导体激光器专利数据库 |
作者单位 | キヤノン株式会社 |
推荐引用方式 GB/T 7714 | 尾内 敏彦,小野 武夫. 光半導体装置及びその製造方法. JP1994169132A. 1994-06-14. |
入库方式: OAI收割
来源:西安光学精密机械研究所
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