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光半導体装置及びその製造方法

文献类型:专利

作者尾内 敏彦; 小野 武夫
发表日期1994-06-14
专利号JP1994169132A
著作权人キヤノン株式会社
国家日本
文献子类发明申请
其他题名光半導体装置及びその製造方法
英文摘要【目的】作製上の再現性が良い、回折格子と導波光との結合係数を導波方向において分布させた光半導体装置及びその製造方法である。 【構成】光半導体装置は光を導波する導波構造を有し、利得媒質を有する活性層4と導波光の分布帰還結合を行う回折格子9、10を具備した光ガイド層3からなる。回折格子9、10と導波光との結合係数を、回折格子の次数を変化させることで、導波方向において分布させ、装置の入出力を行う周辺部より中心部において大きくしている。
公开日期1994-06-14
申请日期1992-11-27
状态失效
源URL[http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76163]  
专题半导体激光器专利数据库
作者单位キヤノン株式会社
推荐引用方式
GB/T 7714
尾内 敏彦,小野 武夫. 光半導体装置及びその製造方法. JP1994169132A. 1994-06-14.

入库方式: OAI收割

来源:西安光学精密机械研究所

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