Semiconductor laser
文献类型：专利
| 作者 | AKIMOTO, KATSUHIRO; OKUYAMA, HIROYUKI |
| 发表日期 | 1993-12-07 |
| 专利号 | US5268918 |
| 著作权人 | SONY CORPORATION A CORP. OF JAPAN |
| 国家 | 美国 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | Semiconductor laser |
| 英文摘要 | A double heterojunction II-VI group compound semiconductor laser has a substrate of GaAs or Gap, a first cladding layer, an active layer, and a second cladding layer which are successively deposited on the substrate by way of epitaxial growth. One or both of the first and second cladding layers have a composition of ZnMgSSe. |
| 公开日期 | 1993-12-07 |
| 申请日期 | 1992-02-21 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76166]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORPORATION A CORP. OF JAPAN |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | AKIMOTO, KATSUHIRO,OKUYAMA, HIROYUKI. Semiconductor laser. US5268918. 1993-12-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。