光半導体装置
文献类型：专利
| 作者 | 西川 祐司; 瀧川 宏 |
| 发表日期 | 1999-12-24 |
| 专利号 | JP1999354865A |
| 著作权人 | FUJITSU LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 光半導体装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 光半導体装置に関し、エピタキシャル成長半導体層の積層構造を最適化し、例えば1〔cm〕レーザ·バーに於いても変換効率40〔%〕以上が得られるようにする。 【解決手段】 活性層8と、活性層8の上下に形成された厚さ50〔nm〕乃至80〔nm〕のアンドープのグレーデッド層7及び9と、活性層8に近い側が低濃度即ちp型=2×1017〔cm-3〕乃至4.5×1017〔cm-3〕 n型=5×1016〔cm-3〕乃至4×1017〔cm-3〕 の範囲にドーピングされ且つ電極に近い側が前記低濃度範囲の上限を越えて高濃度にドーピングされたAlGaAs系材料のグレーデッドSCH層6,7,9,10或いはクラッド層4,5,11,12とを備える。 |
| 公开日期 | 1999-12-24 |
| 申请日期 | 1998-06-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76198]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | FUJITSU LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 西川 祐司,瀧川 宏. 光半導体装置. JP1999354865A. 1999-12-24. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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