半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 内 山 潔; 井 戸 田 健; 高 森 晃; 中 島 眞 人 |
| 发表日期 | 1994-02-18 |
| 专利号 | JP1994045698A |
| 著作权人 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【目的】 可視光半導体レーザのようなGaAs基板上に作製したGaInPやAlGaInPの活性層を、これよりバンドギャップの大きなGaInPまたはAlGaInPのクラッド層で挟んだダブルヘテロ構造を有する半導体発光素子において、クラッド層に高濃度ドーピングするとドーピングした不純物がクラッド層から活性層へ拡散し、活性層の結晶品質の低下やバンドギャップの変化が発生するという問題を解決する。 【構成】 n型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域13と遠い側の高濃度ドーピング領域12とに分け、p型クラッド層を活性層14に近い側の低濃度ドーピング領域15と遠い側の高濃度ドーピング領域16とに分ける。これにより、クラッド層から活性層14への不純物の拡散を抑制しながらクラッド層全体の高濃度ドーピングを実現できる。 |
| 公开日期 | 1994-02-18 |
| 申请日期 | 1992-03-31 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76208]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | MATSUSHITA ELECTRIC IND CO LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 内 山 潔,井 戸 田 健,高 森 晃,等. 半導体発光素子. JP1994045698A. 1994-02-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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