半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 安部 克則; 木村 裕治; 渥美 欣也; 上野 祥樹 |
| 发表日期 | 2004-10-15 |
| 专利号 | JP3606933B2 |
| 著作权人 | 株式会社デンソー |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【目的】 大出力で、かつ、円形に近いビーム形状のレーザ光を得ることができる半導体レーザを提供することにある。 【構成】 n-GaAs基板1上にn-GaAs層2が形成され、その上にn-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層3、n-Al0.2 Ga0.8 As光ガイド層4、Al0.2 Ga0.8 As/GaAs多重量子井戸構造からなる活性層5、p-Al0.2 Ga0.8 As光ガイド層6、p-Al0.4 Ga0.6 Asクラッド層7、p-GaAs層8がメサ形に積層されている。活性層5の厚さが127.5nmで、活性層5と光ガイド層4と光ガイド層6との合計の厚さが5μm以上となっている。n-GaAs層2およびメサ状部の上面には絶縁膜9およびp型電極10が形成されている。ストライプ幅は400μmとなっている。 |
| 公开日期 | 2005-01-05 |
| 申请日期 | 1995-02-07 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76224]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社デンソー |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 安部 克則,木村 裕治,渥美 欣也,等. 半導体レーザ. JP3606933B2. 2004-10-15. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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