半導体光素子
文献类型：专利
| 作者 | 須郷 満; 竹下 達也; 伊賀 龍三; 近藤 康洋 |
| 发表日期 | 2008-11-20 |
| 专利号 | JP2008282975A |
| 著作权人 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】放熱性を改善しつつAl含有層の酸化が低減された、Al系材料で構成された活性層を有するInP基板上の半導体光素子を提供すること。 【解決手段】半導体レーザ100は、Al系材料で構成された活性層を有するInP基板上の半導体レーザにおいて、Al系材料で構成された活性層105と、活性層105の上の境界層108Aと、境界層108Aの上の、Alを含有しない導波層109を有するリッジ111と、境界層108Aの上のリッジを埋め込む埋め込み層112とを備える。境界層108Aは、リッジ111を形成するためのエッチングにより露出する表面とAl含有層である上側SCH層106との間に存在し、上側SCH層106や量子井戸活性層105が露出して酸化することを回避する。導波層109は、リッジ111内部にありエッチングにより側面が露出するが、Alを含有しないので、Al含有層が露出することによる酸化の問題は生じない。 【選択図】図1 |
| 公开日期 | 2008-11-20 |
| 申请日期 | 2007-05-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76258]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | NIPPON TELEGR & TELEPH CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 須郷 満,竹下 達也,伊賀 龍三,等. 半導体光素子. JP2008282975A. 2008-11-20. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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