半導体発光素子
文献类型：专利
| 作者 | 喜嶋 悟; 中山 典一; 石橋 晃 |
| 发表日期 | 1997-11-11 |
| 专利号 | JP1997293934A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光素子 |
| 英文摘要 | 【課題】 II-VI族化合物半導体により形成される各層の厚さの自由度が大きく、更に発光効率も向上させることができる半導体発光素子を提供する。 【解決手段】 InPにより形成した基板1の上にMgZnCdSeにより形成した第1導電型クラッド層2,ガイド層3,活性層4,ガイド層5および第2導電型クラッド層6が順次積層されている。各層2〜6の組成は基板1と格子整合するように決定される。第2導電型クラッド層6の上には半導体層7,超格子半導体層8およびコンタクト層9が順次積層されている。コンタクト層9はZnTeにより形成されると共に不純物が添加され低抵抗となっている。コンタクト層9の上には格子状の電極10が設けられている。 |
| 公开日期 | 1997-11-11 |
| 申请日期 | 1996-04-26 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76269]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 喜嶋 悟,中山 典一,石橋 晃. 半導体発光素子. JP1997293934A. 1997-11-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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