半導体レーザ素子の製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 宮▲嵜▼ 啓介; 兼岩 進治 |
| 发表日期 | 2002-01-18 |
| 专利号 | JP3270815B2 |
| 著作权人 | シャープ株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザ素子の製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 コストダウンが図れ、しかも電気的特性及び光学的特性の劣化を防止でき、信頼性を向上できる半導体レーザ素子を提供する。 【解決手段】 ビーム径φ0mmのレーザビーム30を、導波路となるストライプ幅4.0μm置きに走査させながら、TMGとSi2H6を流し、n型GaAsブロック層を0.6μmの厚みに成長させる。 |
| 公开日期 | 2002-04-02 |
| 申请日期 | 1996-10-01 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76273]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | シャープ株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 宮▲嵜▼ 啓介,兼岩 進治. 半導体レーザ素子の製造方法. JP3270815B2. 2002-01-18. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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