自励発振型半導体レーザ
文献类型：专利
| 作者 | 沢野 博之; 堀田 等 |
| 发表日期 | 2000-11-14 |
| 专利号 | JP2000315837A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 自励発振型半導体レーザ |
| 英文摘要 | 【課題】 高温高出力で低雑音動作が可能な低しきい値電流の自励発振半導体レーザを実現する。 【解決手段】 本半導体レーザは、第1導電型半導体基板の上に、第1導電型クラッド層3、活性層4、第2導電型クラッド層5を順次積層し、第2クラッド層にはメサ構造が形成されており、メサ構造の両脇には、電流狭窄のためのブロック層9,21が形成されている。メサ型の第2導電型クラッド層5に接する電流ブロック層21は、レーザの発振光に対して光吸収能のないAlInP層21で形成されており、活性層には面内圧縮歪を導入されている。これにより、モード損失を低減しても活性領域の微分利得を小さく、可飽和吸収体の微分利得を大きく出来るので、低しきい値、低駆動電流で高温まで自励発振する半導体レーザが得られる。 |
| 公开日期 | 2000-11-14 |
| 申请日期 | 1999-05-06 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76303]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 沢野 博之,堀田 等. 自励発振型半導体レーザ. JP2000315837A. 2000-11-14. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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