半導体レーザ装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 中塚 慎一; 内田 憲治; 矢野 振一郎 |
| 发表日期 | 1994-05-06 |
| 专利号 | JP1994125147A |
| 著作权人 | HITACHI LTD |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】半導体レーザ端面の光密度を下げ、端面光破壊レベルをあげる機能を保ちながら、端部領域とその他の領域の光結合が改善され、長期に渡る高信頼動作が可能で安価な高出力半導体レーザ装置を提供すること。 【構成】通電により光利得を発生する活性層4と、活性層より小さな屈折率を持ち、活性層を挟んで設けられたクラッド層2、5と、レーザ光出射部近傍のクラッド層5中に配置され、クラッド層よりも大きな屈折率を持つ光ガイド層10とを有し、クラッド層5中の光ガイド層10のレーザ光出射部端面の方を内側よりも活性層により近い位置に設けた半導体レーザ装置。また、クラッド層中の光ガイド層の厚さをレーザ光出射部端面の方が内側よりも厚くすることもできる。 |
| 公开日期 | 1994-05-06 |
| 申请日期 | 1992-10-14 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76310]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | HITACHI LTD |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 中塚 慎一,内田 憲治,矢野 振一郎. 半導体レーザ装置及びその製造方法. JP1994125147A. 1994-05-06. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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