半導体レーザおよびその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大仲 清司; 伴 雄三郎 |
| 发表日期 | 1999-07-09 |
| 专利号 | JP2949927B2 |
| 著作权人 | 松下電器産業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 授权发明 |
| 其他题名 | 半導体レーザおよびその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 AlGaInPなどの材料で構成され横モードが制御された半導体レーザの非点隔差を小さくし、発振しきい値を低くする。 【構成】 n型GaAs基板上101にn型AlGaInPクラッド層102、ストライプ状に圧縮歪を有するGaInP活性層104およびp型AlGaInPクラッド層106が形成されている。 |
| 公开日期 | 1999-09-20 |
| 申请日期 | 1991-07-18 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76315]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 松下電器産業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大仲 清司,伴 雄三郎. 半導体レーザおよびその製造方法. JP2949927B2. 1999-07-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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