半導体レーザ及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 細井 洋治 |
| 发表日期 | 1994-03-11 |
| 专利号 | JP1994069592A |
| 著作权人 | 沖電気工業株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【目的】 分布帰還型の半導体レーザにおいて回折格子の形状を崩さないように多重量子井戸の活性層を形成する。 【構成】 n-InPバッファ層32、多重量子井戸の活性層24、 p-InGaAsP光導波層34及び p-InPバッファ層26を順次に、有機金属気相成長法により、 p-InP基板38上に積層し、然る後、バッファ層26に回折格子28を形成する。活性層24を積層した後に回折格子28を形成するので回折格子28の形状が熱分解で崩れないように活性層24を有機金属気相成長法で積層できる。次に、p-InGaAsP 光導波層30及びp-InP クラッド層36を順次に、液相成長法により、回折格子28上に積層する。バッファ層26を InP層及び光導波層30を InGaAsP層とするので、光導波層30積層用のInGaAsP 溶液によりバッファ層26がメルトエッチングされず、従って回折格子28の形状が崩れない。 |
| 公开日期 | 1994-03-11 |
| 申请日期 | 1992-08-19 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76321]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 沖電気工業株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 細井 洋治. 半導体レーザ及びその製造方法. JP1994069592A. 1994-03-11. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
浏览0
下载0
收藏0
其他版本
除非特别说明，本系统中所有内容都受版权保护，并保留所有权利。