半導体装置及びその製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 大家 彰; 古森 正明; 土屋 朋信; 青木 雅博; 佐藤 宏 |
| 发表日期 | 1999-09-07 |
| 专利号 | JP1999243252A |
| 著作权人 | 株式会社日立製作所 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体装置及びその製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】高濃度p型コンタクト層からドーパント元素であるZnが活性層近傍まで拡散することによる素子の劣化を防ぎ、信頼性の優れた半導体装置を提供すること。 【解決手段】p電極21とp型InPクラッド層16の間に、p型ZnTeコンタクト層18を配置する。このコンタクト層は、p型のII-VI族化合物半導体であればよい。この層のキャリア濃度は、1×1018cm-3以上の高濃度にドーピングすることができる。さらにp型InPクラッド層16とp型ZnTeコンタクト層18の間にp型ZnSe/ZnTe中間層17を配置してもよい。 |
| 公开日期 | 1999-09-07 |
| 申请日期 | 1998-02-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76327]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 株式会社日立製作所 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 大家 彰,古森 正明,土屋 朋信,等. 半導体装置及びその製造方法. JP1999243252A. 1999-09-07. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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