半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法
文献类型：专利
| 作者 | 小林 隆二 |
| 发表日期 | 2000-01-28 |
| 专利号 | JP2000031596A |
| 著作权人 | 日本電気株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法 |
| 英文摘要 | 【課題】 レーザ特性を悪化させることなく、拡散型ウィンドウ構造を容易に作製できる製造方法を提供する。 【解決手段】 端面近傍の第2導電型クラッド層4を量子井戸活性層3近傍までエッチングし、その部分に再度クラッド層と半導体構成元素が等しく、且つ第2導電型ドーパントを添加した再成長層6を形成する。そして、添加した第2導電型ドーパントを再成長層6から量子井戸活性層3へ拡散し、量子井戸活性層を混晶化することによりウィンドウ構造を作製する。 |
| 公开日期 | 2000-01-28 |
| 申请日期 | 1998-07-10 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76332]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 日本電気株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小林 隆二. 半導体レーザ及び半導体レーザの製造方法. JP2000031596A. 2000-01-28. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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