半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 倉又 朗人 |
| 发表日期 | 1999-04-09 |
| 专利号 | JP1999097803A |
| 著作权人 | 富士通株式会社 |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置に関し、SiCからなる基板を用い、エピタキシャル成長層の表面状態を良好に維持しながら、活性層や光閉じ込め層に加わる歪みを小さく抑えることができるようにする。 【解決手段】 6H-SiC(0001)C 基板11とn-Al0.1 Ga0.9 N第1バッファ層12との界面からエピタキシャル成長層表面側に向かって0.2〔μm〕〜0.4〔μm〕までの領域に在るエピタキシャル成長層がAl組成0〔%〕乃至9〔%〕以下のAlGaN層であると共にこのAlGaN層と同じAl組成をもつn-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層15或いはp-Al0.05Ga0.95N光閉じ込め層17が含まれている。 |
| 公开日期 | 1999-04-09 |
| 申请日期 | 1997-09-25 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76336]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | 富士通株式会社 |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 倉又 朗人. 半導体発光装置. JP1999097803A. 1999-04-09. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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