半導体発光装置
文献类型：专利
| 作者 | 小川 正道 |
| 发表日期 | 1998-01-23 |
| 专利号 | JP1998022580A |
| 著作权人 | SONY CORP |
| 国家 | 日本 |
| 文献子类 | 发明申请 |
| 其他题名 | 半導体発光装置 |
| 英文摘要 | 【課題】 半導体発光装置における双晶の発生の回避と共に、光共振器端面の問題の解決をはかって、歩留り良く、信頼性の高い、発光効率の高い半導体発光装置、例えば半導体レーザーを得ることができるようにする。 【解決手段】 {100}基板面の結晶軸方向にストライプリッジを有する基板上に、AlGaInP系エピタキシャル成長半導体層が形成されて成り、基板の上記結晶軸方向のストライプリッジの相対向する縁部が、方向からみて結晶軸方向と角度±α°(α≠0)をなす方向に選定された構成とする。 |
| 公开日期 | 1998-01-23 |
| 申请日期 | 1996-07-03 |
| 状态 | 失效 |
| 源URL | [http://ir.opt.ac.cn/handle/181661/76338]  |
| 专题 | 半导体激光器专利数据库 |
| 作者单位 | SONY CORP |
| 推荐引用方式 GB/T 7714 | 小川 正道. 半導体発光装置. JP1998022580A. 1998-01-23. |
入库方式： OAI收割
来源：西安光学精密机械研究所
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